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新聞資訊
士蘭微電子推出內(nèi)置大功率MOSFET的SSR反激電源管理芯片SDH8666Q/SD8666QS
2019.07.03

士蘭微電子推出了內(nèi)置大功率MOSFET的SSR反激電源管理芯片SDH8666Q系列，該系列產(chǎn)品是士蘭微電子新一代SSR反激控制芯片，采用了自有專利EHSOP5貼片封裝，內(nèi)置高壓大功率MOSFET，可廣泛適用于36W適配器或48W開放環(huán)境，包括通用適配器、快充、顯示器和平板電視等。系列產(chǎn)品包括：


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士蘭微電子此次推出的SDH8666Q系列產(chǎn)品有諸多優(yōu)勢：產(chǎn)品采用自有專利EHSOP5貼片封裝，更適于自動(dòng)化生產(chǎn)；封裝厚度僅為1.6mm，是TO252封裝的2/3，對(duì)外殼溫升影響更?。籖thja為60℃/W，與TO252相當(dāng)，而Rthjc僅為1.05℃/W，是TO252封裝的1/2，更有利于散熱。封裝效果如下圖所示：


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▲EHSOP5          ▲TO252


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▲EHSOP5            ▲TO252


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▲EHSOP5               ▲TO252


此外，該系列產(chǎn)品內(nèi)置了專利高壓EDMOS，也采用了專利高壓啟動(dòng)控制電路，省略傳統(tǒng)電路的啟動(dòng)電阻，待機(jī)功耗低至40mW，具有快速啟動(dòng)，輕載高效等優(yōu)點(diǎn)。在啟動(dòng)過程中采用高壓耗盡型MOSFET進(jìn)行高壓充電，芯片啟動(dòng)后高壓啟動(dòng)控制器控制該MOSFET關(guān)斷，相比其他高壓啟動(dòng)方式可靠性更高，更易通過雷擊浪涌測試。


全系列產(chǎn)品滿足CoC V5 Tier 2能效，采用了QR+PWM+PFM+Burst Mode控制模式。其中，產(chǎn)品優(yōu)化了QR模式抖頻控制，在系統(tǒng)工作于CCM或QR模式時(shí)采用不同的抖頻策略，優(yōu)化抖頻控制，降低系統(tǒng)EMI噪聲。QR模式下，采用優(yōu)化抖頻后的IC比無抖頻IC的傳導(dǎo)噪聲低5dB左右。


值得注意的是，該系列產(chǎn)品具有VCC HOLD功能，防止輕載或動(dòng)態(tài)切換時(shí)芯片欠壓重啟，產(chǎn)品還具有完善的保護(hù)功能，包括VCC OVP, OCP, OTP, Brown In/Brown Out，輸出OVP，原邊電流采樣電阻短路保護(hù)，輸出短路保護(hù)，副邊整流管短路保護(hù)等。目前該系列電路已經(jīng)大批量銷售，獲得了市場的青睞。


SDH8666Q（內(nèi)置高壓啟動(dòng)電路）和SD8666QS的典型應(yīng)用分別如下圖所示：


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12V/3A DEMO（75mm*45mm*23mm）效果如下圖所示：


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