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新聞資訊
士蘭微2023SNEC上海光伏展參展巡禮
2023.05.26

2023年5月24-26日，SNEC第十六屆(2023)國(guó)際太陽(yáng)能光伏與智慧能源(上海)大會(huì)暨展覽會(huì)，在上海新國(guó)際博覽中心如期開展。士蘭微電子作為國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體的技術(shù)領(lǐng)先者，向來(lái)訪者展示了應(yīng)用于光伏、新能源的多款高性能功率模塊、高能效IGBT器件以及高功率SiC器件等產(chǎn)品和方案。本次展品主要聚焦三大亮點(diǎn)：一是士蘭光伏儲(chǔ)能模塊產(chǎn)品，二是士蘭光伏新能源IGBT器件產(chǎn)品方案，三是士蘭SiC器件產(chǎn)品方案，吸引了大量現(xiàn)場(chǎng)客戶和觀眾駐足觀看和交流。


一、士蘭光伏儲(chǔ)能模塊

士蘭光伏儲(chǔ)能模塊產(chǎn)品，涵蓋了工商業(yè)、組串電站、儲(chǔ)能、集中式電站等領(lǐng)域，尤其在逆變器產(chǎn)品方面表現(xiàn)優(yōu)異。


1、工商業(yè)逆變器

推薦產(chǎn)品：逆變模塊（INPC）——SGM450TL7D3TFD  

?  使用場(chǎng)合：工商業(yè)逆變模塊，輸出功率125kW；

?  電氣特性：采用士蘭5代中頻650V IGBT，開關(guān)損耗??；

?  封裝特性：采用士蘭D3封裝，采用絕緣DBC，銅基板散熱。

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2、組串電站逆變器

推薦產(chǎn)品：升壓模塊（飛夸電容boost）——SGM400DCD10D3BTFD  

?  使用場(chǎng)合：組串電站MPPT升壓，面板單路電流60A；

?  電氣特性：采用士蘭5代中頻950V IGBT，開關(guān)損耗??；

?  封裝特性：采用士蘭D3封裝，采用絕緣DBC，銅基板散熱。

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推薦產(chǎn)品：逆變模塊（ANPC）——SGM400TL10A7BTFD

? 使用場(chǎng)合：組串電站逆變模塊，輸出功率225kW；

? 電氣特性：采用士蘭5代中頻950V IGBT，開關(guān)損耗小；

?封裝特性：采用士蘭A7封裝，采用絕緣DBC直接散熱。

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推薦產(chǎn)品：逆變模塊（ANPC）——SGM600TL10D5TFD  

? 使用場(chǎng)合：組串電站逆變模塊，輸出功率320kW；

? 電氣特性：采用士蘭5代中頻950V IGBT，開關(guān)損耗??；

?封裝特性：采用士蘭D5封裝，采用絕緣DBC，銅基板散熱。

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3、儲(chǔ)能逆變器

推薦產(chǎn)品：逆變模塊（INPC）——SGM225TL12D4DTFD  

?  使用場(chǎng)合：儲(chǔ)能逆變模塊，輸出功率100kW；

?  電氣特性：采用士蘭5代中頻1200V IGBT，開關(guān)損耗?。?/p>

?  封裝特性：采用士蘭D4封裝，采用絕緣DBC，銅基板散熱。

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4、集中式逆變器

推薦產(chǎn)品：逆變模塊（半橋）——SGM800HF12A3TFD   

?  使用場(chǎng)合：集中式逆變模塊；

?  電氣特性：采用士蘭5代中頻1200V IGBT，開關(guān)損耗小，可多并聯(lián)應(yīng)用；

?  封裝特性：采用士蘭A3封裝，采用絕緣DBC，銅基板散熱。

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推薦產(chǎn)品：逆變模塊（半橋）——SGM800HF12B4TFD 

? 使用場(chǎng)合：集中式逆變模塊；

? 電氣特性：采用士蘭5代中頻1200V IGBT，開關(guān)損耗小，可多并聯(lián)應(yīng)用；

?封裝特性：采用士蘭A3封裝，采用絕緣DBC，銅基板散熱。

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二、士蘭IGBT器件產(chǎn)品方案

士蘭IGBT器件產(chǎn)品，隨著8吋和12吋產(chǎn)能的建設(shè)，實(shí)現(xiàn)研發(fā)和工藝的顯著提升，其中FS5  Trench IGBT 量產(chǎn)，650V IGBT合封SiC SBD 量產(chǎn)，車規(guī)級(jí)IGBT 量產(chǎn)，12吋 IGBT 量產(chǎn)，并且新一代工藝的IGBT和大功率 IGBT產(chǎn)品研發(fā)工作也在順利推進(jìn)中。

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三、士蘭SiC器件產(chǎn)品方案

2022年，士蘭在SiC器件產(chǎn)品的研發(fā)上取得了新的突破，650V SBD 研發(fā)成功，1200V SBD 研發(fā)成功，明鎵6吋SiC晶圓量產(chǎn)通線，第二代1200V SiC MOS 研發(fā)成功，參數(shù)性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。


光伏新能源應(yīng)用——士蘭1200V 40mΩ SiC MOS

SCDP120R040NP4B 采用士蘭微電子碳化硅技術(shù)制造，具有很低的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗，使得功率轉(zhuǎn)換器具有高效、高功率密度等特點(diǎn)。該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。

特點(diǎn)：

  ? 66A，1200V，RDS(on)(typ.)=40mΩ@VGS=15V

  ? 碳化硅技術(shù)

  ? 開關(guān)損耗低

  ? 低反向恢復(fù)電荷

  ? 降低散熱要求

  ? 100%雪崩測(cè)試

  ? 無(wú)鉛管腳鍍層

  ? 符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)


光伏新能源應(yīng)用——士蘭1200V 30A SiC SBD

SCDP30S120P2 采用士蘭微電子碳化硅外延工藝制造而成的肖特基整流二極管，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、不間斷和輔助電源、光伏逆變器等領(lǐng)域。

特點(diǎn)：

 ? 30A，1200V

 ? 零反向恢復(fù)電流

 ? 正溫度系數(shù)

 ? 低開關(guān)損耗

 ? 散熱要求低


四、現(xiàn)場(chǎng)掠影

士蘭微電子利用自身在高壓智能功率模塊技術(shù)、第三代功率半導(dǎo)體器件技術(shù)、綠色電源芯片技術(shù)等多個(gè)芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域的積累，以及不斷強(qiáng)化的工藝平臺(tái)開發(fā)能力，不斷提升的8吋/12吋硅圓片生產(chǎn)能力、先進(jìn)化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)能力，為光伏、新能源客戶提供優(yōu)質(zhì)的芯片產(chǎn)品系列和系統(tǒng)性的應(yīng)用解決方案，助力產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。

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